اثرهای ناخالصی برروی پهنای گاف انرژی، آشکار سازهای نوری (سولفید کادمیم)
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم
- author علی نعمتی
- adviser رضا ثابت داریانی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1379
abstract
سولفید کادمیم یکی از مهمترین نیمرساناهاست ، که در دمای اتاق، گاف انرژی آن 2/42 الکترون ولت می باشد. لایه های پربلورین سولفید کادمیم، برای سلولهای خورشیدی، لیزرها، ابزار نوری، مدارهای مجتمع غیرخطی کاربرد فراوانی دارد. با روشهای تبخیر حرارتی، تبخیر لحظه ای، رسوبگذاری فاز بخار، کندوپاشی فرکانس رادیویی و تبخیر بوسیله لیزر قابل ساخت می باشد. هدف اصلی، ساخت لایه های سولفید کادمیم با شفافیت زیاد، مقاومت ویژه کم، سمت گیری بلوری مناسب ، برای لایه های رسوبگذاری شده در دمای اتاق باشد. سولفید کادمیم به دو شکل بلوری، شش گوشه ای پایدار و مکعبی فر و پایدار تولید می شود. اولین قسمت پایان نامه، تهیه سولفید کادمیم خالص ، بر روی زیر لایه شیشه در گسترده دمای اتاق تا 200 درجه سلسیوس بود. دستگاه مورد استفاده برای ساخت نمونه ها، به روش تبخیر حرارتی دارای یک پمپ دیفیوژن که با آب خنک می شود و یک پمپ مکانیکی است ، پائین ترین فشار قابل دسترسی، حدود 10-6 تور است . جریانی که از بوته عبور می کند، توسط اتو ترانسفورمر، حرارت زیر لایه را کنترل می کند. زمان لایه گذاری بوسیله صفحه ای که جلوی زیر لایه را می بندد، کنترل می شود. پودر سولفید کادمیم 99/99 درصد خالص بوده و در بوته از جنس مولبیدن قرار داده می شود. زیر لایه بوسیله المنت از جنس کنستانتان که روی آن قرار دارد گرم می شود. دمای زیر لایه بوسیله ترموکوپل مس -کنستانتان اندازه گیری می شود. برای دمای 30 تا 200 درجه سانتی گراد، از گرمکن زیر لایه جریان عبور داده می شود. دقت اندازه گیری بین +-2 درجه سانتی گراد می باشد. آهنگ رسوبگذاری بوسیله ضخامت لایه و زمان لایه گذاری تعیین می شود. در آزمایشهای ما از دمای اتاق تا 200 درجه سانتی گراد، تغییر در پهنای گاف انرژی سولفید کادمیم دیده نشد. دومین قسمت پایان نامه مربوط به ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس ، نقره، طلا و آلومینیم بود. ما لایه های نازک ناخالص شده با مس ، طلا، نقره و آلومینیم را توسط روش تبخیر حرارتی، با رسانندگی ویژه زیاد تهیه نمودیم. ما برای تهیه نمونه های سولفید کادمیم ناخالص از دو روش استفاده نمودیم. -1 مخلوطی از سولفید کادمیم خالص و ناخالصی در بوته -2 هم تبخیری سولفید کادمیم و ناخالصی در نمونه های ناخالص شده با مس ، نقره، و طلا، ما موفق به ایجاد مراکز تله در سولفید کادمیم خالص شده و قله منحنی جریان بر حسب انرژی فوتون را به سوی انرژی های کم تغییر دادیم.
similar resources
اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...
full textاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° c مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منح...
full textساخت و مطالعه خواص نوری نانوذرات سولفید کادمیم روی
در این پایان نامه خواص نورتابی نانوذرات آلیاژی znxcd1-xs پایدار شده با عامل پوششی tga مورد بررسی قرار گرفته است. با افزایش x ، لبه جذب و قله نورتابی به سمت طول موج های قرمز جابجا شده که حاکی از تشکیل نانوذرات آلیاژی znxcd1-xs است. نتایج نشان داد که افزایش غلظت عامل پوششی و کاهش ph باعث کاهش رشد نانوذرات شده و نورتابی افزایش یافت. رشد نمونه ها در تاریکی باph های بالاتر، نشان از آهنگ سریعتر افزای...
15 صفحه اولنانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...
full textمدل سازی الکتریکی حرارتی آشکار سازهای نوری با استفاده از نرم افزار spice
1- معرفی موضوع، پیشینه پژوهش و ضرورت های انجام (با ارجاع به جدیدترین منابع) : مدل سازی الکتریکی- حرارتی ابزاری بسیار مهم برای پیش بینی دستگاه های قابل اطمینان در طولانی مدت،طراحی سیستم های خنک کننده مناسب و با دقت،برای محافظت از مدار میباشد. در [1]آنالیزی از وضعیت و روند موضوع ارائه شده است و مفاهیم استفاده شده برای قطعه مدل شده به صورت زیر بیان می شود: 1-حل عددی 2-حل تقریبی 3-انتقال 4-...
My Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023